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MASPOWER MS13N20HGD0
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MS13N20HGD0 |
| Référence EBEE | E87424119 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 13A 140W 120mΩ@10V,6.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4385 | $ 0.4385 |
| 10+ | $0.3443 | $ 3.4430 |
| 30+ | $0.3042 | $ 9.1260 |
| 100+ | $0.2548 | $ 25.4800 |
| 500+ | $0.2316 | $ 115.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MASPOWER MS13N20HGD0 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 120mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 140W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 42nC@160V |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $0.3042 | $ 9.1260 |
| 100+ | $0.2548 | $ 25.4800 |
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