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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YSP040N010T1A |
| Référence EBEE | E84153749 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1968 | $ 1.1968 |
| 10+ | $0.9905 | $ 9.9050 |
| 50+ | $0.8428 | $ 42.1400 |
| 100+ | $0.7138 | $ 71.3800 |
| 500+ | $0.6565 | $ 328.2500 |
| 1200+ | $0.6307 | $ 756.8400 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YSP040N010T1A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 236W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.08nF | |
| Gate Charge(Qg) | 67nC@10V | |
| Input Capacitance(Ciss) | 4.7nF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1968 | $ 1.1968 |
| 10+ | $0.9905 | $ 9.9050 |
| 50+ | $0.8428 | $ 42.1400 |
| 100+ | $0.7138 | $ 71.3800 |
| 500+ | $0.6565 | $ 328.2500 |
| 1200+ | $0.6307 | $ 756.8400 |
