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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YGW75N65FP |
| Référence EBEE | E84153744 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 75A 650V TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7503 | $ 4.7503 |
| 10+ | $4.1369 | $ 41.3690 |
| 30+ | $3.6608 | $ 109.8240 |
| 90+ | $3.2916 | $ 296.2440 |
| 510+ | $3.1222 | $ 1592.3220 |
| 1200+ | $3.0443 | $ 3653.1600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YGW75N65FP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Gate Charge(Qg) | 130nC | |
| Td(off) | 150ns | |
| Td(on) | 75ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 25pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 75ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.8mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 5mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.6nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 250pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.7503 | $ 4.7503 |
| 10+ | $4.1369 | $ 41.3690 |
| 30+ | $3.6608 | $ 109.8240 |
| 90+ | $3.2916 | $ 296.2440 |
| 510+ | $3.1222 | $ 1592.3220 |
| 1200+ | $3.0443 | $ 3653.1600 |
