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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YGW40N65F1 |
| Référence EBEE | E84153734 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40A 650V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7533 | $ 1.7533 |
| 10+ | $1.4772 | $ 14.7720 |
| 30+ | $1.2529 | $ 37.5870 |
| 90+ | $1.0759 | $ 96.8310 |
| 510+ | $0.9965 | $ 508.2150 |
| 1200+ | $0.9614 | $ 1153.6800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YGW40N65F1 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Td(off) | 120ns | |
| Td(on) | 45ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 40pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 75ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 400uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 2.1nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 100pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.7533 | $ 1.7533 |
| 10+ | $1.4772 | $ 14.7720 |
| 30+ | $1.2529 | $ 37.5870 |
| 90+ | $1.0759 | $ 96.8310 |
| 510+ | $0.9965 | $ 508.2150 |
| 1200+ | $0.9614 | $ 1153.6800 |
