| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YGQ75N120FP |
| Référence EBEE | E817702406 |
| Boîtier | T0-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 75A 1.2kV T0-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9255 | $ 5.9255 |
| 10+ | $5.0919 | $ 50.9190 |
| 30+ | $4.5827 | $ 137.4810 |
| 90+ | $4.1571 | $ 374.1390 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YGQ75N120FP | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5.1V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 735W | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 233.1nC@15V | |
| Td(off) | 171ns | |
| Td(on) | 122ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 39.26pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 298ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 2.9mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 6.6mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 7.655nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A | |
| Output Capacitance(Coes) | 351pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.9255 | $ 5.9255 |
| 10+ | $5.0919 | $ 50.9190 |
| 30+ | $4.5827 | $ 137.4810 |
| 90+ | $4.1571 | $ 374.1390 |
