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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YGP20N65T2 |
| Référence EBEE | E84153667 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20A 650V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9369 | $ 0.9369 |
| 10+ | $0.7793 | $ 7.7930 |
| 50+ | $0.6669 | $ 33.3450 |
| 100+ | $0.5691 | $ 56.9100 |
| 500+ | $0.5254 | $ 262.7000 |
| 1000+ | $0.5064 | $ 506.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YGP20N65T2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Gate Charge(Qg) | 45nC@15V | |
| Td(off) | 60ns | |
| Td(on) | 20ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 20pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 50ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 100uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 470uJ | |
| Output Capacitance(Coes) | 50pF |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9369 | $ 0.9369 |
| 10+ | $0.7793 | $ 7.7930 |
| 50+ | $0.6669 | $ 33.3450 |
| 100+ | $0.5691 | $ 56.9100 |
| 500+ | $0.5254 | $ 262.7000 |
| 1000+ | $0.5064 | $ 506.4000 |
