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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | YGF20N65T2 |
| Référence EBEE | E84153665 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20A 650V TO-220F IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9428 | $ 0.9428 |
| 10+ | $0.7852 | $ 7.8520 |
| 50+ | $0.6786 | $ 33.9300 |
| 100+ | $0.5808 | $ 58.0800 |
| 500+ | $0.5370 | $ 268.5000 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
| 2000+ | $0.5108 | $ 1021.6000 |
| 4000+ | $0.5064 | $ 2025.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | luxin-semi YGF20N65T2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.4V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 30.6W | |
| Td(off) | 60ns | |
| Td(on) | 20ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 20pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 50ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 100uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 470uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.05nF | |
| Output Capacitance(Coes) | 50pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9428 | $ 0.9428 |
| 10+ | $0.7852 | $ 7.8520 |
| 50+ | $0.6786 | $ 33.9300 |
| 100+ | $0.5808 | $ 58.0800 |
| 500+ | $0.5370 | $ 268.5000 |
| 1000+ | $0.5166 | $ 516.6000 |
| 2000+ | $0.5108 | $ 1021.6000 |
| 4000+ | $0.5064 | $ 2025.6000 |
