| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LP2305LT1G |
| Référence EBEE | E8131734 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 4.2A 130mΩ@2.5V,1.0A 1.4W 700mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0620 | $ 0.6200 |
| 100+ | $0.0505 | $ 5.0500 |
| 300+ | $0.0447 | $ 13.4100 |
| 3000+ | $0.0404 | $ 121.2000 |
| 6000+ | $0.0370 | $ 222.0000 |
| 9000+ | $0.0353 | $ 317.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LRC LP2305LT1G | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 130mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 53.18pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 826.18pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 90.74pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.36nC@15V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0620 | $ 0.6200 |
| 100+ | $0.0505 | $ 5.0500 |
| 300+ | $0.0447 | $ 13.4100 |
| 3000+ | $0.0404 | $ 121.2000 |
| 6000+ | $0.0370 | $ 222.0000 |
| 9000+ | $0.0353 | $ 317.7000 |
