| Fabricant | |
| Référence Fabricant | L2N7002LT1G |
| Référence EBEE | E812779 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 115mA 225mW 1.4Ω@10V,500mA 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0138 | $ 0.6900 |
| 500+ | $0.0110 | $ 5.5000 |
| 3000+ | $0.0094 | $ 28.2000 |
| 6000+ | $0.0084 | $ 50.4000 |
| 24000+ | $0.0076 | $ 182.4000 |
| 51000+ | $0.0072 | $ 367.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LRC L2N7002LT1G | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.4Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 225mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 17pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 10pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0138 | $ 0.6900 |
| 500+ | $0.0110 | $ 5.5000 |
| 3000+ | $0.0094 | $ 28.2000 |
| 6000+ | $0.0084 | $ 50.4000 |
| 24000+ | $0.0076 | $ 182.4000 |
| 51000+ | $0.0072 | $ 367.2000 |
