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LONTEN LSGN06R036HWB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LSGN06R036HWB |
| Référence EBEE | E82836191 |
| Boîtier | DFN-8(4.9x5.8) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 83A 57W 3.6mΩ@10V,20A 4V@250uA DFN-8(4.9x5.8) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4643 | $ 0.4643 |
| 10+ | $0.4137 | $ 4.1370 |
| 30+ | $0.3884 | $ 11.6520 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3071 | $ 153.5500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LSGN06R036HWB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 83A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 57W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 67pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3511pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $0.4643 | $ 0.4643 |
| 10+ | $0.4137 | $ 4.1370 |
| 30+ | $0.3884 | $ 11.6520 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
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