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LONTEN LSGE06R046HWB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LSGE06R046HWB |
| Référence EBEE | E82836186 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 104A 4.6mΩ@10V,20A 89W 4V@250uA TO-263-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LSGE06R046HWB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 104A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.6mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 89W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 67pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3511pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7405 | $ 0.7405 |
| 10+ | $0.6141 | $ 6.1410 |
| 30+ | $0.5527 | $ 16.5810 |
| 100+ | $0.4894 | $ 48.9400 |
| 500+ | $0.4516 | $ 225.8000 |
| 800+ | $0.4336 | $ 346.8800 |
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