| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LSG60R650HT |
| Référence EBEE | E8779920 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 7A 550mΩ@10V,3.5A 3.5V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4317 | $ 4.3170 |
| 30+ | $0.4064 | $ 12.1920 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3649 | $ 182.4500 |
| 1000+ | $0.3577 | $ 357.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LSG60R650HT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 550mΩ@10V,3.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.15pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 481pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 13.1nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4840 | $ 0.4840 |
| 10+ | $0.4317 | $ 4.3170 |
| 30+ | $0.4064 | $ 12.1920 |
| 100+ | $0.3811 | $ 38.1100 |
| 500+ | $0.3649 | $ 182.4500 |
| 1000+ | $0.3577 | $ 357.7000 |
