| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LSE80R680GT |
| Référence EBEE | E82836177 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 800V 8A 680mΩ@10V,4A 83W [email protected] TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9465 | $ 0.9465 |
| 10+ | $0.8597 | $ 8.5970 |
| 30+ | $0.8110 | $ 24.3300 |
| 100+ | $0.7568 | $ 75.6800 |
| 500+ | $0.7315 | $ 365.7500 |
| 800+ | $0.7207 | $ 576.5600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LSE80R680GT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 680mΩ@10V,4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 83W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.54pF@100V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 873pF@100V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 19.5nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9465 | $ 0.9465 |
| 10+ | $0.8597 | $ 8.5970 |
| 30+ | $0.8110 | $ 24.3300 |
| 100+ | $0.7568 | $ 75.6800 |
| 500+ | $0.7315 | $ 365.7500 |
| 800+ | $0.7207 | $ 576.5600 |
