Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
LONTEN LND12N65
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LND12N65 |
| Référence EBEE | E8439221 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 12A 800mΩ@10V,6A 42W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>123 En stock pour livraison rapide
123 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0494 | $ 1.0494 |
| 10+ | $0.8489 | $ 8.4890 |
| 50+ | $0.7477 | $ 37.3850 |
| 100+ | $0.6485 | $ 64.8500 |
| 500+ | $0.5888 | $ 294.4000 |
| 1000+ | $0.5581 | $ 558.1000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LND12N65 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 12A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 800mΩ@10V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 42W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA |
Guide d’achat
Développer
123 Stock for Shipping Fast
123 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0494 | $ 1.0494 |
| 10+ | $0.8489 | $ 8.4890 |
| 50+ | $0.7477 | $ 37.3850 |
| 100+ | $0.6485 | $ 64.8500 |
| 500+ | $0.5888 | $ 294.4000 |
| 1000+ | $0.5581 | $ 558.1000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
