| Fabricant | |
| Référence Fabricant | LND10N65 |
| Référence EBEE | E8439225 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 10A [email protected] 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9013 | $ 0.9013 |
| 10+ | $0.7297 | $ 7.2970 |
| 50+ | $0.6430 | $ 32.1500 |
| 100+ | $0.5581 | $ 55.8100 |
| 500+ | $0.5058 | $ 252.9000 |
| 1000+ | $0.4805 | $ 480.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LONTEN LND10N65 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | - | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | - | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6.8pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1622pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 34.2nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9013 | $ 0.9013 |
| 10+ | $0.7297 | $ 7.2970 |
| 50+ | $0.6430 | $ 32.1500 |
| 100+ | $0.5581 | $ 55.8100 |
| 500+ | $0.5058 | $ 252.9000 |
| 1000+ | $0.4805 | $ 480.5000 |
