| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MIXA40WB1200TED |
| Référence EBEE | E87469138 |
| Boîtier | E2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 195W 60A 1.2kV PT (Through Type) E2 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $68.5664 | $ 68.5664 |
| 30+ | $66.4452 | $ 1993.3560 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS MIXA40WB1200TED | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+125℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | - | |
| Pd - Power Dissipation | 195W | |
| IGBT Type | PT (Punch-Through) |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $68.5664 | $ 68.5664 |
| 30+ | $66.4452 | $ 1993.3560 |
