| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXTQ170N10P |
| Référence EBEE | E8461330 |
| Boîtier | TO-3P-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 170A 9mΩ@10V,85A 715W 5V@250uA 1 N-channel TO-3P-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.7671 | $ 11.7671 |
| 10+ | $10.0153 | $ 100.1530 |
| 30+ | $8.9472 | $ 268.4160 |
| 100+ | $8.0515 | $ 805.1500 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXTQ170N10P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 9mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 715W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 170A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6nF | |
| Gate Charge(Qg) | 198nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $11.7671 | $ 11.7671 |
| 10+ | $10.0153 | $ 100.1530 |
| 30+ | $8.9472 | $ 268.4160 |
| 100+ | $8.0515 | $ 805.1500 |
