| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXTP10P50P |
| Référence EBEE | E85359029 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 10A 300W 1Ω@10V,5A 2V@250uA 1 Piece P-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2205 | $ 6.2205 |
| 10+ | $5.4395 | $ 54.3950 |
| 50+ | $4.7328 | $ 236.6400 |
| 100+ | $4.2627 | $ 426.2700 |
| 600+ | $4.0450 | $ 2427.0000 |
| 900+ | $3.9472 | $ 3552.4800 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXTP10P50P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 42pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 500V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.2205 | $ 6.2205 |
| 10+ | $5.4395 | $ 54.3950 |
| 50+ | $4.7328 | $ 236.6400 |
| 100+ | $4.2627 | $ 426.2700 |
| 600+ | $4.0450 | $ 2427.0000 |
| 900+ | $3.9472 | $ 3552.4800 |
