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Littelfuse/IXYS IXTK82N25P
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXTK82N25P |
| Référence EBEE | E8480638 |
| Boîtier | TO-264-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 82A 35mΩ@10V,41A 500W 5V@250uA 1 N-channel TO-264-3 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXTK82N25P | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 35mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 82A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.8nF | |
| Gate Charge(Qg) | 142nC@10V |
Guide d’achat
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