| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXFH46N65X2 |
| Référence EBEE | E8425674 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 46A 69mΩ@10V,46A 660W 3.5V@4mA 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9742 | $ 4.9742 |
| 10+ | $4.3068 | $ 43.0680 |
| 30+ | $3.9093 | $ 117.2790 |
| 90+ | $3.5070 | $ 315.6300 |
| 450+ | $3.3224 | $ 1495.0800 |
| 900+ | $3.2388 | $ 2914.9200 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXFH46N65X2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 69mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.2pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 660W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 46A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.57nF | |
| Gate Charge(Qg) | 98nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.9742 | $ 4.9742 |
| 10+ | $4.3068 | $ 43.0680 |
| 30+ | $3.9093 | $ 117.2790 |
| 90+ | $3.5070 | $ 315.6300 |
| 450+ | $3.3224 | $ 1495.0800 |
| 900+ | $3.2388 | $ 2914.9200 |
