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Littelfuse/IXYS IXFH20N85X
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXFH20N85X |
| Référence EBEE | E8455176 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 850V 20A 540W 330mΩ@10V,10A [email protected] 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.5782 | $ 4.5782 |
| 10+ | $3.9598 | $ 39.5980 |
| 30+ | $3.8509 | $ 115.5270 |
| 100+ | $3.4786 | $ 347.8600 |
| 500+ | $3.3067 | $ 1653.3500 |
| 1000+ | $3.2294 | $ 3229.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXFH20N85X | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 330mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 540W | |
| Drain to Source Voltage | 850V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.66nF | |
| Gate Charge(Qg) | 63nC@10V |
Guide d’achat
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| 30+ | $3.8509 | $ 115.5270 |
| 100+ | $3.4786 | $ 347.8600 |
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