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Littelfuse/IXYS IXBX75N170
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXBX75N170 |
| Référence EBEE | E817489325 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.04kW 200A 1.7kV TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXBX75N170 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.7kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.1V@15V,75A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.04kW | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 350nC | |
| Td(off) | 260ns | |
| Td(on) | 46ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 150pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.5us | |
| Switching Energy(Eoff) | - | |
| Turn-On Energy (Eon) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 400pF |
Guide d’achat
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