| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IXBF55N300 |
| Référence EBEE | E83191182 |
| Boîtier | ISOPLUSi4-Pak |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 357W 86A 3kV IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $105.5055 | $ 105.5055 |
| 30+ | $101.9591 | $ 3058.7730 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Littelfuse/IXYS IXBF55N300 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 3kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.2V@15V,55A | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 335nC | |
| Td(off) | 230ns | |
| Td(on) | 52ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 1.9us | |
| Turn-On Energy (Eon) | - | |
| Input Capacitance(Cies) | - | |
| Output Capacitance(Coes) | 275pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $105.5055 | $ 105.5055 |
| 30+ | $101.9591 | $ 3058.7730 |
