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Littelfuse/IXYS IXBF55N300


Fabricant
Référence Fabricant
IXBF55N300
Référence EBEE
E83191182
Boîtier
ISOPLUSi4-Pak
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
357W 86A 3kV IGBT Transistors / Modules ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$105.5055$ 105.5055
30+$101.9591$ 3058.7730
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT
Fiche TechniqueLittelfuse/IXYS IXBF55N300
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)3kV
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)3.2V@15V,55A
Pd - Power Dissipation357W
IGBT Type-
Gate Charge(Qg)335nC
Td(off)230ns
Td(on)52ns
Reverse Recovery Time(trr)1.9us
Turn-On Energy (Eon)-
Input Capacitance(Cies)-
Output Capacitance(Coes)275pF

Guide d’achat

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