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LGE KI2301
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KI2301 |
| Référence EBEE | E8688914 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 64mΩ@4.5V,3A 1W 700mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0366 | $ 0.3660 |
| 100+ | $0.0294 | $ 2.9400 |
| 300+ | $0.0257 | $ 7.7100 |
| 3000+ | $0.0210 | $ 63.0000 |
| 6000+ | $0.0189 | $ 113.4000 |
| 9000+ | $0.0178 | $ 160.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LGE KI2301 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 64mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 400mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
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| 100+ | $0.0294 | $ 2.9400 |
| 300+ | $0.0257 | $ 7.7100 |
| 3000+ | $0.0210 | $ 63.0000 |
| 6000+ | $0.0189 | $ 113.4000 |
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