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LGE AO3400
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3400 |
| Référence EBEE | E8841146 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 5.8A 28mΩ@10V,2.9A 1.4W 900mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0442 | $ 0.4420 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0304 | $ 9.1200 |
| 3000+ | $0.0247 | $ 74.1000 |
| 6000+ | $0.0219 | $ 131.4000 |
| 9000+ | $0.0205 | $ 184.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LGE AO3400 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 28mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 77pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 900mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 623pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 99pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 10+ | $0.0442 | $ 0.4420 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0304 | $ 9.1200 |
| 3000+ | $0.0247 | $ 74.1000 |
| 6000+ | $0.0219 | $ 131.4000 |
| 9000+ | $0.0205 | $ 184.5000 |
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