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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 3407 |
| Référence EBEE | E827975295 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0330 | $ 0.3300 |
| 100+ | $0.0257 | $ 2.5700 |
| 300+ | $0.0220 | $ 6.6000 |
| 3000+ | $0.0193 | $ 57.9000 |
| 6000+ | $0.0171 | $ 102.6000 |
| 9000+ | $0.0160 | $ 144.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LGE 3407 | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 43mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 44pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.2W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 493pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 65pF | |
| Gate Charge(Qg) | 8.2nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0330 | $ 0.3300 |
| 100+ | $0.0257 | $ 2.5700 |
| 300+ | $0.0220 | $ 6.6000 |
| 3000+ | $0.0193 | $ 57.9000 |
| 6000+ | $0.0171 | $ 102.6000 |
| 9000+ | $0.0160 | $ 144.0000 |
