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LGE 2SK3018
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SK3018 |
| Référence EBEE | E83010097 |
| Boîtier | SOT-323 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 30V 100mA 200mW 5Ω@4V,10mA 1 N-Channel SOT-323 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0321 | $ 0.1605 |
| 50+ | $0.0253 | $ 1.2650 |
| 150+ | $0.0219 | $ 3.2850 |
| 500+ | $0.0194 | $ 9.7000 |
| 3000+ | $0.0160 | $ 48.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LGE 2SK3018 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 13Ω@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
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| 5+ | $0.0321 | $ 0.1605 |
| 50+ | $0.0253 | $ 1.2650 |
| 150+ | $0.0219 | $ 3.2850 |
| 500+ | $0.0194 | $ 9.7000 |
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