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LGE 2N7002DW
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002DW |
| Référence EBEE | E827975286 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOT-363 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0330 | $ 0.6600 |
| 200+ | $0.0257 | $ 5.1400 |
| 600+ | $0.0217 | $ 13.0200 |
| 3000+ | $0.0192 | $ 57.6000 |
| 9000+ | $0.0171 | $ 153.9000 |
| 21000+ | $0.0160 | $ 336.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | LGE 2N7002DW | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 5Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 115mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 50pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0330 | $ 0.6600 |
| 200+ | $0.0257 | $ 5.1400 |
| 600+ | $0.0217 | $ 13.0200 |
| 3000+ | $0.0192 | $ 57.6000 |
| 9000+ | $0.0171 | $ 153.9000 |
| 21000+ | $0.0160 | $ 336.0000 |
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