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KY KY5853DC
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | KY5853DC |
| Référence EBEE | E83029307 |
| Boîtier | DFNWB-8-EP(2x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 20V 2.7A 110mΩ@4.5V,2.7A 1.1W 450mV@250uA 1 Piece P-Channel DFNWB-8-EP(2x3) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KY KY5853DC | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 240mΩ@1.8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 50pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 450mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0513 | $ 0.5130 |
| 100+ | $0.0408 | $ 4.0800 |
| 300+ | $0.0356 | $ 10.6800 |
| 1000+ | $0.0316 | $ 31.6000 |
| 5000+ | $0.0273 | $ 136.5000 |
| 10000+ | $0.0257 | $ 257.0000 |
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