| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQPF4N65SE |
| Référence EBEE | E842404741 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1821 | $ 0.9105 |
| 50+ | $0.1430 | $ 7.1500 |
| 150+ | $0.1262 | $ 18.9300 |
| 500+ | $0.1053 | $ 52.6500 |
| 2500+ | $0.0960 | $ 240.0000 |
| 5000+ | $0.0904 | $ 452.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP FQPF4N65SE | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 2.5Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14.3nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1821 | $ 0.9105 |
| 50+ | $0.1430 | $ 7.1500 |
| 150+ | $0.1262 | $ 18.9300 |
| 500+ | $0.1053 | $ 52.6500 |
| 2500+ | $0.0960 | $ 240.0000 |
| 5000+ | $0.0904 | $ 452.0000 |
