| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQPF10N60SE |
| Référence EBEE | E842404737 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3140 | $ 1.5700 |
| 50+ | $0.2492 | $ 12.4600 |
| 150+ | $0.2215 | $ 33.2250 |
| 500+ | $0.1868 | $ 93.4000 |
| 2500+ | $0.1714 | $ 428.5000 |
| 5000+ | $0.1621 | $ 810.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP FQPF10N60SE | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 800mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 65W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3140 | $ 1.5700 |
| 50+ | $0.2492 | $ 12.4600 |
| 150+ | $0.2215 | $ 33.2250 |
| 500+ | $0.1868 | $ 93.4000 |
| 2500+ | $0.1714 | $ 428.5000 |
| 5000+ | $0.1621 | $ 810.5000 |
