| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQD7N65SE |
| Référence EBEE | E842404746 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1918 | $ 0.9590 |
| 50+ | $0.1526 | $ 7.6300 |
| 150+ | $0.1358 | $ 20.3700 |
| 500+ | $0.1148 | $ 57.4000 |
| 2500+ | $0.1055 | $ 263.7500 |
| 5000+ | $0.0999 | $ 499.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP FQD7N65SE | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 1.35Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 95pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1918 | $ 0.9590 |
| 50+ | $0.1526 | $ 7.6300 |
| 150+ | $0.1358 | $ 20.3700 |
| 500+ | $0.1148 | $ 57.4000 |
| 2500+ | $0.1055 | $ 263.7500 |
| 5000+ | $0.0999 | $ 499.5000 |
