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KTP FQD4N60SE
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQD4N60SE |
| Référence EBEE | E842404742 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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1195 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1306 | $ 0.6530 |
| 50+ | $0.1033 | $ 5.1650 |
| 150+ | $0.0896 | $ 13.4400 |
| 500+ | $0.0793 | $ 39.6500 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0670 | $ 335.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP FQD4N60SE | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 2.5Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5.4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 50W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 48pF | |
| Gate Charge(Qg) | 14.3nC@10V |
Guide d’achat
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1195 Stock for Shipping Fast
1195 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1306 | $ 0.6530 |
| 50+ | $0.1033 | $ 5.1650 |
| 150+ | $0.0896 | $ 13.4400 |
| 500+ | $0.0793 | $ 39.6500 |
| 2500+ | $0.0711 | $ 177.7500 |
| 5000+ | $0.0670 | $ 335.0000 |
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