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KTP FQD10N65SE
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FQD10N65SE |
| Référence EBEE | E842404734 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP FQD10N65SE | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 900mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
Guide d’achat
Développer
2145 Stock for Shipping Fast
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
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