| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSC200N04 |
| Référence EBEE | E822436724 |
| Boîtier | PDFN5x6-8L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5279 | $ 0.5279 |
| 10+ | $0.4154 | $ 4.1540 |
| 30+ | $0.3670 | $ 11.0100 |
| 100+ | $0.3061 | $ 30.6100 |
| 500+ | $0.2796 | $ 139.8000 |
| 1000+ | $0.2624 | $ 262.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP BSC200N04 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 1.6mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 200A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.9nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5279 | $ 0.5279 |
| 10+ | $0.4154 | $ 4.1540 |
| 30+ | $0.3670 | $ 11.0100 |
| 100+ | $0.3061 | $ 30.6100 |
| 500+ | $0.2796 | $ 139.8000 |
| 1000+ | $0.2624 | $ 262.4000 |
