| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSC100N10 |
| Référence EBEE | E822436728 |
| Boîtier | PDFN-8(5x6) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | PDFN-8L(5x6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2729 | $ 1.3645 |
| 50+ | $0.2115 | $ 10.5750 |
| 150+ | $0.1852 | $ 27.7800 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1378 | $ 344.5000 |
| 5000+ | $0.1291 | $ 645.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KTP BSC100N10 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 7.4mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 13pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 105W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.293nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 618pF | |
| Gate Charge(Qg) | 24nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2729 | $ 1.3645 |
| 50+ | $0.2115 | $ 10.5750 |
| 150+ | $0.1852 | $ 27.7800 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1378 | $ 344.5000 |
| 5000+ | $0.1291 | $ 645.5000 |
