| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2KJ7110DFN |
| Référence EBEE | E8499620 |
| Boîtier | DFN1006-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | DFN1006-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0420 | $ 0.4200 |
| 100+ | $0.0333 | $ 3.3300 |
| 300+ | $0.0290 | $ 8.7000 |
| 1000+ | $0.0257 | $ 25.7000 |
| 5000+ | $0.0204 | $ 102.0000 |
| 10000+ | $0.0191 | $ 191.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | KEXIN 2KJ7110DFN | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 500mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 100mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0420 | $ 0.4200 |
| 100+ | $0.0333 | $ 3.3300 |
| 300+ | $0.0290 | $ 8.7000 |
| 1000+ | $0.0257 | $ 25.7000 |
| 5000+ | $0.0204 | $ 102.0000 |
| 10000+ | $0.0191 | $ 191.0000 |
