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JSMSEMI SIA519EDJ-T1-GE3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SIA519EDJ-T1-GE3 |
| Référence EBEE | E82874706 |
| Boîtier | WDFN-6-EP(2x2) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 4.5A 7.8W 1.4V@250uA 1 N-Channel + 1 P-Channel WDFN-6-EP(2x2) MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | JSMSEMI SIA519EDJ-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 90mΩ@4.5V | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 7.8W | |
| Drain to Source Voltage | 20V |
Guide d’achat
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