| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IKW50N60H3 |
| Référence EBEE | E842374820 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5121 | $ 1.5121 |
| 10+ | $1.4752 | $ 14.7520 |
| 30+ | $1.4491 | $ 43.4730 |
| 90+ | $1.4245 | $ 128.2050 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | JSMSEMI IKW50N60H3 | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 6.5V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| IGBT Type | - | |
| Gate Charge(Qg) | 183nC@50A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.356nF@25V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5121 | $ 1.5121 |
| 10+ | $1.4752 | $ 14.7520 |
| 30+ | $1.4491 | $ 43.4730 |
| 90+ | $1.4245 | $ 128.2050 |
