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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJE3139K
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CJE3139K |
| Référence EBEE | E870991 |
| Boîtier | SOT-523 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 660mA 150mW 520mΩ@4.5V,0.8A 0.35V@250uA 1 Piece P-Channel SC-75(SOT-523) MOSFETs ROHS |
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51440 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0271 | $ 0.5420 |
| 200+ | $0.0214 | $ 4.2800 |
| 600+ | $0.0182 | $ 10.9200 |
| 3000+ | $0.0163 | $ 48.9000 |
| 9000+ | $0.0147 | $ 132.3000 |
| 21000+ | $0.0138 | $ 289.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJE3139K | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 520mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 350mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 660mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 170pF |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0271 | $ 0.5420 |
| 200+ | $0.0214 | $ 4.2800 |
| 600+ | $0.0182 | $ 10.9200 |
| 3000+ | $0.0163 | $ 48.9000 |
| 9000+ | $0.0147 | $ 132.3000 |
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