| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CJ2302 S2 |
| Référence EBEE | E88548 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 2.1A 350mW 0.115Ω@2.5V,3.1A 1.2V@50uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0197 | $ 3.9400 |
| 600+ | $0.0171 | $ 10.2600 |
| 3000+ | $0.0152 | $ 45.6000 |
| 9000+ | $0.0145 | $ 130.5000 |
| 21000+ | $0.0140 | $ 294.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ2302 S2 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 115mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 300pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0197 | $ 3.9400 |
| 600+ | $0.0171 | $ 10.2600 |
| 3000+ | $0.0152 | $ 45.6000 |
| 9000+ | $0.0145 | $ 130.5000 |
| 21000+ | $0.0140 | $ 294.0000 |
