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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ2301 S1
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CJ2301 S1 |
| Référence EBEE | E88547 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 2.3A 350mW 0.142Ω@2.5V,2.0A 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
| 20+ | $0.0244 | $ 0.4880 |
| 200+ | $0.0187 | $ 3.7400 |
| 600+ | $0.0162 | $ 9.7200 |
| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0135 | $ 121.5000 |
| 21000+ | $0.0130 | $ 273.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CJ2301 S1 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 142mΩ@2.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 405pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0187 | $ 3.7400 |
| 600+ | $0.0162 | $ 9.7200 |
| 3000+ | $0.0143 | $ 42.9000 |
| 9000+ | $0.0135 | $ 121.5000 |
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