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Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CGWT80N65F2KAD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CGWT80N65F2KAD |
| Référence EBEE | E87543669 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-247-3L IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. CGWT80N65F2KAD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4V@1mA | |
| Pd - Power Dissipation | 390W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 108.8nC@15V | |
| Td(off) | 94ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 30pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 90ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 870uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.69mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 240A | |
| Output Capacitance(Coes) | 256pF |
Guide d’achat
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