| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2SK3018 |
| Référence EBEE | E88562 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 100mA 13Ω@2.5V,1mA 350mW 0.8V@100uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0239 | $ 0.4780 |
| 200+ | $0.0190 | $ 3.8000 |
| 600+ | $0.0163 | $ 9.7800 |
| 3000+ | $0.0142 | $ 42.6000 |
| 9000+ | $0.0128 | $ 115.2000 |
| 21000+ | $0.0120 | $ 252.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 2SK3018 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 13Ω@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 800mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 13pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0239 | $ 0.4780 |
| 200+ | $0.0190 | $ 3.8000 |
| 600+ | $0.0163 | $ 9.7800 |
| 3000+ | $0.0142 | $ 42.6000 |
| 9000+ | $0.0128 | $ 115.2000 |
| 21000+ | $0.0120 | $ 252.0000 |
