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InventChip IV2Q12160D7Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q12160D7Z |
| Référence EBEE | E822368199 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 208mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
