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InventChip IV2Q12080T4Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q12080T4Z |
| Référence EBEE | E822368196 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-247-4 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0707 | $ 9.0707 |
| 10+ | $7.7556 | $ 77.5560 |
| 30+ | $6.9540 | $ 208.6200 |
| 90+ | $6.2827 | $ 565.4430 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q12080T4Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 104mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $9.0707 | $ 9.0707 |
| 10+ | $7.7556 | $ 77.5560 |
| 30+ | $6.9540 | $ 208.6200 |
| 90+ | $6.2827 | $ 565.4430 |
