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InventChip IV2Q12080D7Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q12080D7Z |
| Référence EBEE | E822368197 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q12080D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 104mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
Guide d’achat
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