Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
InventChip IV2Q12017T4Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q12017T4Z |
| Référence EBEE | E822368200 |
| Boîtier | TO-247-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-247-4 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $28.9390 | $ 28.9390 |
| 30+ | $27.9356 | $ 838.0680 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q12017T4Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 22mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 16.3pF | |
| Pd - Power Dissipation | 469W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 118A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4.41nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 211pF | |
| Gate Charge(Qg) | 214nC |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $28.9390 | $ 28.9390 |
| 30+ | $27.9356 | $ 838.0680 |
