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InventChip IV2Q06025D7Z
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IV2Q06025D7Z |
| Référence EBEE | E822368184 |
| Boîtier | TO-263-7 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | InventChip IV2Q06025D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 33mΩ | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 19pF | |
| Pd - Power Dissipation | 600W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 111A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.09nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 251pF | |
| Gate Charge(Qg) | 125nC |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $15.4130 | $ 15.4130 |
| 10+ | $14.6743 | $ 146.7430 |
| 30+ | $13.3960 | $ 401.8800 |
| 100+ | $12.2817 | $ 1228.1700 |
