| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFR5505TRPBF |
| Référence EBEE | E826340 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 18A 0.11Ω@10V,9.6A 57W 4V@250uA 1 Piece P-Channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3648 | $ 1.8240 |
| 50+ | $0.2867 | $ 14.3350 |
| 150+ | $0.2533 | $ 37.9950 |
| 500+ | $0.2115 | $ 105.7500 |
| 2000+ | $0.1930 | $ 386.0000 |
| 4000+ | $0.1818 | $ 727.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IRFR5505TRPBF | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 110mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 57W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 18A | |
| Ciss-Input Capacitance | 650pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 270pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3648 | $ 1.8240 |
| 50+ | $0.2867 | $ 14.3350 |
| 150+ | $0.2533 | $ 37.9950 |
| 500+ | $0.2115 | $ 105.7500 |
| 2000+ | $0.1930 | $ 386.0000 |
| 4000+ | $0.1818 | $ 727.2000 |
